Недавно Sony удивила всех своим заявлением о строительстве фабрики по производству смартфонов. Судя по всему, в мобильном подразделении компании уже разработан план завоевания рынка, а источники тайваньского ресурса DigiTimes утверждают, что одним из ключевых элементов новой стратегии может стать переход на процессоры собственной разработки.
Неделю назад Qualcomm наконец представила свой флагманский процессор Snapdragon 820, который изготовляется по 14-нм технологическому процессу FinFET и включает в себя четыре 64-битных кастомных ядра Kryo.
В Сеть просочились результаты сравнительного теста производительности всех анонсированных на данный момент топовых мобильных процессоров. В почетный список ожидаемо попали платформы Qualcomm Snapdragon 820, Samsung Exynos 8890, HiSilicon Kirin 950, Apple A9 и MediaTek Helio X20 (MT6797), а замеры вычислительной мощи проводились в популярном бенчмарке Geekbench, который, как известно, не затрагивает графическую подсистему SoC.
Мы до сих пор не дождались ни одного реального устройства с топовым 10-ядерным процессором MediaTek Helio X20, он включает в себя два мощных ядра ARM Cortex-A72 с тактовой частотой 2.2 ГГц и два блока по четыре ядра ARM Cortex-A53 на 2.0 и 1.4 ГГц. Скорее всего первые гаджеты на нем появятся в начале 2016 года
Вслед за Qualcomm свой топовый мобильный процессор представила компания Samsung. Восьмиядерная платформа нового поколения получила название Exynos 8 Octa 8890 и изготавливается по 14-нанометровой технологии FinFET. Впервые производитель использовал в SoC ядра собственной разработки, которые обеспечивают 30% прирост производительности над Exynos 7 Octa при снижении энергопотребления на 10%.
Qualcomm уже неоднократно рассказывала о некоторых особенностях своего флагманского чипа Snapdragon 820, но всех подробностей не было. Наконец Qualcomm созрела представить SoC во всей красе. Как и ожидалось, процессор изготовляется по 14-нм технологическому процессу FinFET
Судя по последним слухам, Samsung уже запустила в массовое производство собственные процессоры Exynos 8890, которые будут использоваться в одной из версий будущего флагманского смартфона Galaxy S7. Вторая будет использовать флагманский Qualcomm Snapdragon 820
Вчера в GFXBench было замечено некое устройство под названием Huawei NXT-AL10, которое вполне может быть будущим смартфоном Huawei Mate 8, который будет представлен 26 ноября. Предполагается, что в нем будет установлен процессор HiSilicon Kirin 950, анонс которого состоится послезавтра.
На днях в сети появилась информация о том, что будущий флагманский процессор Qualcomm Snapdragon 820 страдает от перегрева, как и предыдущая модель Snapdragon 810. От нее многие и вовсе отказались, а сама компания выпустила несколько его ревизий
С нынешним флагманским процессором Qualcomm Snapdragon 810 было немало проблем в связи с его излишне горячим нравом. Бороться с перегревом пытались разными путями
Samsung активно работает над следующим процессором Exynos для мобильных устройств, SoC будет устанавливаться в следующую флагманскую линейку производителя. Пока процессор фигурирует под названием Mongoose (или Exynos M1).
Qualcomm представила два новых мобильных процессора Snapdragon 617 и 430 для мобильных устройств среднего ценового сегмента. Оба процессора будут изготовляться с соблюдением 20-нм технологических норм
Полностью спецификации своего будущего флагманского процессора Quallcomm Snapdragon 820 компания пока не представила, однако время от времени делится некоторыми подробностями. На данный момент известно, что процессор будет оснащен четырьмя 64-битными кастомными ядрами Kryo и будет производиться с соблюдением 14-нм норм техпроцесса.
Qualcomm активно занимается работой над своим будущим флагманским процессором Snapdragon 820 и не спешит пока раскрывать все его характеристики и выпускать его на рынок. А пока процесс идет, компания обновила свои более скромные процессоры Snapdragon 615, 410 и 210
Компания Intel представила шестое поколение настольных процессоров на микроархитектуре Skylake. Первыми моделями стали Intel Core i7-6700K и Core i5-6600K с разблокированным множителем, которые производятся по 14-нанометровому технологическому процессу и используют сокет LGA1151 и поддерживают память DDR4.
